Новая серия микросхем AC/DC преобразователей DK80xx с транзисторами GaN от DK Power
Известный китайский производитель высоковольтных микросхем для импульсных источников питания Dongke Semiconductor анонсировал новую серию квазирезонансных микросхем DK80xx с транзисторами GaN. Микросхемы отличаются улучшенными характеристиками и выполнены на кристаллах нового поколения, являясь функционально совместимыми с известным семейством DK0xxG.
Рабочее напряжение микросхем VDD от 7,5 до 60 В, что позволяет исключить необходимость в цепи LDO. Микросхемы производятся в различных корпусах, таких как ESOP7, PDFN5*6, PDFN8*8, ESOP12 и перекрывают диапазон мощностей от 12 до 80 Вт.
Новые корпуса:
 |
 |
| ESOP7 | ESOP12 |
Основные свойства микросхем серии DK80xx:
- Оптимизированный алгоритм блокировки впадин (valley lockout), ограничение разности частот при работе с высоким и низким входными напряжениями, что повышает суммарную эффективность.
- Широкий диапазон питания микросхемы VDD, что позволяет исключить необходимость в цепи LDO.
- Улучшенная функция мягкого старта, что позволяет снизить электромагнитные помехи и уменьшить выбросы на выходном синхронном выпрямителе (SR).
- Предельная частота переключения 200 кГц.
- Повышенное рабочее напряжение сток-исток транзисторов GaN до 700 В, пиковое – до 800 В.
- Увеличенный диапазон изменения частоты при изменении нагрузки от минимальной до полной, что улучшает режим работы при малой/экстремально малой нагрузке.
- Комплексные функции защиты, включая OVP по входу, OTP, OCP по входу и выходу, защита от сбоев при работе SR и другие.
Состав серии и основные параметры:
| Наименование | Рабочее напряжение сток-исток | Сопротивление открытого перехода сток-исток | Ток насыщения стока (125℃) | Выходная мощность | Корпус |
| DK8012AP/AN | 700 В | 1600 мОм | 0,8 A | 12 Вт | ESOP7 /PDFN5*6 |
| DK8020AP/AN | 700 В | 834 мОм | 1,2 A | 20 Вт | ESOP7 /PDFN5*6 |
| DK8025AP/AN | 700 В | 578 мОм | 1,6 A | 25 Вт | ESOP7 /PDFN5*6 |
| DK8035AP/AN | 700 В | 432 мОм | 2,2 A | 35 Вт | ESOP7 /PDFN5*6 |
|
DK8045 (NQY00) |
700 В | 330 мОм | 3 A | 45 Вт | PDFN5*6 |
|
DK8045 (FQY00) |
700 В | 330 мОм | 3 A | 55 Вт | PDFN8*8 |
|
DK8045 (TQY00) |
700 В | 330 мОм | 3 A | 55 Вт | ESOP12 |
|
DK8065 (FQE00) |
700 В | 249 мОм | 4 A | 60 Вт | PDFN8*8 |
|
DK8065 (FQV00) |
700 В | 196 мОм | 5,1 A | 63 Вт | PDFN8*8 |
|
DK8065 (FQO00) |
700 В | 160 мОм | 6,8 A | 65 Вт | PDFN8*8 |
|
DK8065 (TQV00) |
700 В | 196 мОм | 5,1 A | 68 Вт | ESOP12 |
|
DK8065 (TQO00) |
700 В | 160 мОм | 6,8 A | 70 Вт | ESOP12 |
|
DK8075 (FQT00) |
700 В | 101 мОм | 10,5 A | 75 Вт | PDFN8*8 |
|
DK8075 (TQT00) |
700 В | 101 мОм | 10,5 A | 80 Вт | ESOP12 |
Все микросхемы серии DK80xx подразделяется на 2 подгруппы, соответствующие выходной мощности менее 35 Вт и выше 35 Вт соответственно. Микросхемы мощностью до 35 Вт для обеспечения низкого энергопотребления не имеет вывода HV (функция разряда X-конденсатора на входе), а выше 35 Вт - имеют функцию адаптивного разряда X-конденсатора. Функция может быть отключена при необходимости, если вывод HV соединить с выводом SW стока транзистора GaN.
Типовая схема включения ИС серии DK80xx с функцией разряда Х-конденсатора:
Для расчета параметров импульсного трансформатора и элементов обвязки Dongke Semiconductor рекомендует воспользоваться специальной программой. Кроме того, производитель предоставляет Руководство для перехода с микросхем серии DK0xxG на DK80xx, в котором подробно описываются все тонкости и различия, с которыми могут столкнуться разработчики при проектировании источников питания на новых микросхемах, а также рекомендации по построению схемы и подбору компонентов.